| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FS70VSJ-06F | High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 60 V • rDS(ON) (max) : 7.0 mΩ • ID : 70 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. | RENESAS 瑞萨 |   | |
FS70VSJ-06F | Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | | |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 60 V • rDS(ON) (max) : 7.0 mΩ • ID : 70 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. | RENESAS 瑞萨 | | ||
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 60 V • rDS(ON) (max) : 7.0 mΩ • ID : 70 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. | RENESAS 瑞萨 | | ||
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................. 60V ● rDS (ON) (MAX) ................................................................7mΩ ● ID ........................................................................................ 70A ● Integ | RENESAS 瑞萨 | | ||
HIGH-SPEED SWITCHING USE ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................. 60V ● rDS (ON) (MAX) ................................................................7mΩ ● ID ........................................................................................ 70A ● Integ | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................. 60V ● rDS (ON) (MAX) ................................................................7mΩ ● ID ........................................................................................ 70A ● Integ | POWEREX | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |
FS70VSJ-06F产品属性
- 类型
描述
- 封装类型：
TO220S
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
60
- ID (A)：
70
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.007
- Ciss (pF) 典型值：
8500
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Surface Mount
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
TO-220铁头 |
20000 |
原装 |
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RENESAS |
23+ |
TO-220铁头 |
50 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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RENESAS |
25+ |
TO-220铁头 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
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RENESAS |
24+ |
TO-220铁头 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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RENESAS |
26+ |
TO-220铁头 |
360000 |
进口原装现货 |
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RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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AMIS |
2026+ |
SOP16 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-220铁头 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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RENESAS |
23+ |
TO-263 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
N/A |
23+ |
QFN |
8160 |
原厂原装 |
FS70VSJ-06F规格书下载地址
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2022-2-14FS7140-02G公司原装现货/随时可以发货
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2019-4-12FS6X1220-飞兆功率开关（FPS）
说明 该FS6X1220R是专为离线特思数码转换器以最小的外部元件。这设备是一个电流模式PWM控制器，具有高结合在一个封装电压电源值SenseFET。该PWM控制器包括集成固定频率振荡器，行欠压锁定，睡眠/关功能，热关断保护，过电压保护，脉冲的脉冲电流限制和温度补偿精密电流来源一回路补偿。相较于离散MOSFET和PWM控制器解决方案，可以FS6X1220R降低总成本，元件数量，大小和重量，同时提高效率，生产力和系统可靠性。这种器件非常适合于DC至DC转换器输出功率高达40W的应用。 特点 •电流模式PWM控制的固定工作频率（3
2013-3-12FS6S-飞兆功率开关（FPS）
说明 飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少外部元件。飞兆半导体的功率开关（FPS）由一个高压电源和电流值SenseFET模式PWM IC。包括功能的PWM控制器集成固定振荡器，欠压锁定，该 优化开启/关闭驱动器门打开，热关闭掉电保护，过电压保护，以及温度补偿精密电流源环路补偿和故障保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或碾压开关转换器解决方案，一飞兆功率开关（FPS）可以降低总的元件数量，缩小设计尺寸，并重量，并在同一时间提高效率，生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台适合具有成本效益的显示器的电源供应。
2013-3-12FS6M07652-飞兆功率开关（FPS）
说明 飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关（FPS）的一个组成高压值SenseFET和电流模式PWM IC。包括PWM控制器具有集成固定振荡器，根据电压锁定，前缘消隐的优化的栅极turn-on/turn-off驱动器，热关断保护，过电压保护，温度 补偿精密电流源的循环补偿和故障保护电路。相比分立MOSFET和控制器或碾压混凝土开关转换器解决方案，一飞兆功率开关（FPS）可降低总元件数量，缩小设计尺寸和重量和同时提高效率，生产力和系统可靠性。它有一个基本的平台，以及适合的成本有效的液晶显示器电源。
2013-3-12
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