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FS30KMJ-3-A8

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 150 V • rDS(ON) (max) : 86 mΩ • ID : 30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

RENESAS

瑞萨

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –150 V • rDS(ON) (max) : 100 mΩ • ID : –30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V

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更新时间:2026-1-29 8:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
IGBT
50945
只做全新原装进口现货
Infineon Technologies
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