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HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –60V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 97mΩ • ID .................................................................... –20A • Integrated Fast Recovery Diod

Mitsubishi

三菱电机

Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –60V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 97mΩ • ID .................................................................... –20A • Integrated Fast Recovery Diod

POWEREX

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 60 V • rDS(ON) (max) : 97 mΩ • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.64233 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-1-1 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨/三菱
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
MIT
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原厂原封装
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VBsemi(台湾微碧)
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TO-220FN
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VBSEMI/微碧半导体
24+
TO220F
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