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FS10ASJ-3-T13

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 150 V • rDS(ON) (max) : 160 mΩ • ID : 10 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 90 ns Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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