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FS02MR12A8MA2B

HybridPACK™ Drive G2 module with SiC MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 390 A - New semiconductor material - silicon carbide - Low RDS,on - Low switching losses - Low Qg and Crss - Low inductive design - Tvj,op = 175°C - Short-time extended operation temperature Tvj,op = 200 °C • Mechanical features -

Infineon

英飞凌

FS02MR12A8MA2B

Automotive IGBT & CoolSiC™ MOSFET Modules

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-26 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
K-J
39
只有原装,请来电咨询
AVX
23+
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新进库存/原装
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