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FS02MR12A8MA2BBPSA1

HybridPACK™ Drive G2 module with SiC MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 390 A - New semiconductor material - silicon carbide - Low RDS,on - Low switching losses - Low Qg and Crss - Low inductive design - Tvj,op = 175°C - Short-time extended operation temperature Tvj,op = 200 °C • Mechanical features -

Infineon

英飞凌

更新时间:2026-1-2 14:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ORIGIN
2023+
SOD-123
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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25+
SMD
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