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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·High Voltage Power Supplies ·Capacitor Discharge Applications ·Pulse Circuits

ISC

无锡固电

FORMULA UL Molded Case Circuit Breakers

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-27 8:31:01
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