位置：首页 > IC中文资料第4157页 > FQU3N30TU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
300V N-Channel MOSFET Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | ||
300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
300V N-Channel MOSFET Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD 仙童半导体 | |
FQU3N30TU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQU3N30TU
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
D2PAK(TO-263) |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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onsemi(安森美) |
25+ |
D2PAK(TO-263) |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2026+ |
D2-PAKTO-263 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SOD-123 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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仙童 |
06+ |
TO-263 |
3800 |
原装 |
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FAIRCHILD |
26+ |
SOP8PP |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
D2-PAKTO-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2934 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
FQU3N30TU规格书下载地址
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2021-1-14
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