型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQPF3N30

300V N-Channel MOSFET

Features • 1.95A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

Fairchild

仙童半导体

FQPF3N30

300V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

300V N-Channel MOSFET

Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

Fairchild

仙童半导体

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

300V N-Channel MOSFET

Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

Fairchild

仙童半导体

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

Fairchild

仙童半导体

FQPF3N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQPF3N30

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO220F
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
270
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VB
25+
TO-220F
5000
原装正品,假一罚十!
FCS
06+
TO-220F
30
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220F
2000000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FAIRCHILD
20+
TO-220F
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FAIRCHILD
24+
TO-220F
8866
Fairchild/ON
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
FAIRC
23+
TO-220F
7300
专注配单,只做原装进口现货
NEXPERIA/安世
23+
SOT137-1
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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