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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
200V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel QFET MOSFET 文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
200V N-Channel MOSFET 文件：754.08 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm 文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | |
FQU18N20V2TU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQU18N20V2TU
- 功能描述
MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2025+ |
TO252 |
3800 |
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DPAK |
18798 |
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ON |
24+ |
TO-252 |
55000 |
原装现正品可看现货 |
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21+ |
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原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
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2021-1-14
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