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FQU15N06L

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

UTC

友顺

Fast Switching

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ISC

无锡固电

15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PANJIT

強茂

更新时间:2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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