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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching ap | UTC 友顺 |   | ||
isc N-Channel Mosfet Transistor ·FEA TURES ·Drain Current –ID= 7.5A@TC=25℃ ·Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-SourceOn-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Requirements ·DESCRITION ·Designed for high effi | ISC 无锡固电 | | ||
7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：217.21 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：473.72 Kbytes Page：7 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | | ||
8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：879.04 Kbytes Page：12 Pages | WXDH 东海半导体 | |
FQPF8N60CYDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF8N60CYDTU
- 功能描述
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华晶 |
TO-220F |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
UTC |
2023+ |
TO-220F |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
|||
东海 |
24+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220F |
98000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
FSC |
25+23+ |
TO-220 |
24874 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FAIRCHIL |
TO-220F |
60000 |
现货库存 |
||||
FUJI |
1922+ |
TO-220F |
7823 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
CJ/长电 |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
2022+ |
300 |
全新原装真实库存含13点增值税票！ |
|||||
仙童 |
24+ |
TO-220 |
9000 |
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2020-12-31
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