FQPF65N06价格

参考价格:¥5.7266

型号:FQPF65N06 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FQPF65N06多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQPF65N06批发/采购报价,FQPF65N06行情走势销售排行榜,FQPF65N06报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQPF65N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.016Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

FQPF65N06

N 沟道 QFET® MOSFET 60V,40A,16mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FQPF65N06

60V N-Channel MOSFET

文件:681.73 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

60V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

FAIRCHILD

仙童半导体

Drain Current ?밒D=63A@ TC=25C

文件:136.98 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET

文件:644.19 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:316.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

65A, 60V N-CHANNEL MOSFET

文件:374.37 Kbytes Page:7 Pages

KIA

可易亚半导体

FQPF65N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQPF65N06

  • 功能描述

    MOSFET 60V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
25+
TO-220F-3
11543
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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25+
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11543
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