位置：首页 > IC中文资料第659页 > FQPF18N20V2YDTU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQPF18N20V2YDTU | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
200V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel QFET MOSFET 文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
200V N-Channel MOSFET 文件：754.08 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm 文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FQPF18N20V2YDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF18N20V2YDTU
- 功能描述
MOSFET 200V 18A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
135 |
原装正品,假一罚十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FAI |
24+ |
NA |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
国产 |
24+ |
TO-220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F-3 |
8866 |
||||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
TO2203 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
仙童 |
06+ |
TO-220F |
4000 |
原装 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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FSC |
22+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
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2019-4-15
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