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位置：首页 > IC中文资料第584页 > FQPF12N20L

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQPF12N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQPF12N20L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FQB12N20

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQB12N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQD12N20

200VN-ChannelMOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
12N20

FastSwitching

文件：67.86 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FQD12N20

N-Channel200V(D-S)MOSFET

文件：1.00995 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

FQPF12N20L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQPF12N20L

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FQPF12N20L供应商更多...

更新时间：2025-5-30 16:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市福田区绿盛电子商行
FQPF12N60
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深圳市博浩通科技有限公司
FQPF12N60
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