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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FQP90N10V2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.01Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
FQP90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FQP90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET 文件：921.28 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
FQP90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET 文件：926.76 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=105A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
100V N-Channel MOSFET 文件：1.05196 Mbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
100V N-Channel MOSFET 文件：1.01771 Mbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FQP90N10V2产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP90N10V2
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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