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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingap | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMosfetTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements ·DESCRITION ·Designedforhigheffi | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：217.21 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：473.72 Kbytes Page：7 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |  | | |
8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：879.04 Kbytes Page：12 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | |
FQP8N60C_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP8N60C_Q
- 功能描述
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AAT/FSC |
18+ |
TO-220F |
5000 |
电解电容绝对现货库存,样品可出,量大价优 |
|||
仙童 |
07+ |
TO-220 |
9000 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
1846+ |
TO-220 |
5000 |
原装现货!随时可以看货!一片起卖! |
|||
FSC |
2023+ |
TO-220-220F |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
AOS/万代 |
2019+ |
NA |
3470 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
UTC |
2023+ |
TO-220F |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
|||
FSC |
22+ |
TO-220 |
95000 |
郑重承诺只做原装进口货 |
|||
UTC/友顺 |
22+ |
TO-220F |
50000 |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
|||
CJ |
21+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
2022+ |
300 |
全新原装真实库存含13点增值税票！ |
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