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10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

FQP10N60C_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQP10N60C_Q

  • 功能描述

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-3 11:20:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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ST
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