位置：首页 > IC中文资料第3624页 > FQI10N60CTU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQI10N60CTU | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
FQI10N60CTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQI10N60CTU
- 功能描述
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
I2-PAKTO-262 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FSC |
0110+ |
TO-262 |
880 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-262 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
I2-PAKTO-262 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-262(I2PAK) |
8866 |
||||
onsemi(安森美) |
24+ |
I2PAK(TO-262) |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
I2-PAKTO-262 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
8000 |
只做原装现货 |
|||
24+ |
TO-262 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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