位置：首页 > IC中文资料第3624页 > FQD7N10LTF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQD7N10LTF | N-ChannelQFETMOSFET100V,5.8A,350m GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
7A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：224.23 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
7Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：170.23 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：262.79 Kbytes Page：7 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：262.79 Kbytes Page：7 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
7A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：219.08 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
FQD7N10LTF产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD7N10LTF
- 功能描述
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
23+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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FAIRCHILD |
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TO252 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-252 |
28000 |
原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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FAI |
23+ |
540 |
原装现货,欢迎咨询 |
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23+ |
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Fairchild/ON |
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
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原厂渠道,现货配单 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-252 |
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原厂原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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- FQI2P40
- FQI2P25
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2019-8-29
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