位置：首页 > IC中文资料第4122页 > FQD20N06TF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQD20N06TF | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) | Bychip 百域芯 |   | |
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired | UMW 友台半导体 | | ||
20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQING 平伟实业 | | ||
Fast Switching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
FQD20N06TF产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD20N06TF
- 功能描述
MOSFET 60V N-Ch QFET LOGIC LEVEL
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
D-PAKTO-252 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FSC |
24+/25+ |
2282 |
原装正品现货库存价优 |
||||
FSC |
05+ |
TQ252 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
525 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHILD |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2-L |
986966 |
国产 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
D-PAKTO-252 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
12583 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
FQD20N06TF规格书下载地址
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FQD1N80TM，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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可立即发货
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2019-8-29
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