型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQD20N06TF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:897.38 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FastSwitching

文件:67.37 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET

文件:193.72 Kbytes Page:2 Pages

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

FQD20N06TF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD20N06TF

  • 功能描述

    MOSFET 60V N-Ch QFET LOGIC LEVEL

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-5 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
F
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