FQD13N10TM价格

参考价格:¥1.6249

型号:FQD13N10TM 品牌:Fairchild 备注:这里有FQD13N10TM多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQD13N10TM批发/采购报价,FQD13N10TM行情走势销售排行榜,FQD13N10TM报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQD13N10TM

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Applications: ● Li-Battery Management System ● USB Power Delivery ● BLDC Drive ● Synchronous Rectifica

ADV

爱德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 12.8A, RDS(ON) = 180mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 12.8A, RDS(ON) = 180mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired.

CET-MOS

华瑞

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:773.51 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:354.05 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

FQD13N10TM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD13N10TM

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-11 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
21574
郑重承诺只做原装进口现货
ONSEMI
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21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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