型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQB5N30

300V N-Channel MOSFET

Features • 5.4A, 300V, RDS(on) = 0.9Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 9.8 nC) • Low Crss ( typical 9.5 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQB5N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=5.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

FQB5N30

300V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

300V N-Channel MOSFET

Features • 5.4A, 300V, RDS(on) = 0.9Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 9.8 nC) • Low Crss ( typical 9.5 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fast Switching Speed

文件:67.38 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

FQB5N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB5N30

  • 功能描述

    MOSFET 300V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-24 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
D2-PAKTO-263
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
FAIRCILD
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单
FAIRCHILD
24+
TO-263(D2PAK)
8866
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
FAIRC
2023+
TO-263(D2PAK
50000
原装现货
FAIRC
23+
TO-263(D2PAK)
7300
专注配单,只做原装进口现货
FAIRCHIL
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
ON
1932+
TO-263
298
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-263(D2PAK)
6000
十年配单,只做原装
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-263
60000
全新原装现货

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