型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQB5N30

300VN-ChannelMOSFET

Features •5.4A,300V,RDS(on)=0.9Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical9.8nC) •LowCrss(typical9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQB5N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

300VN-ChannelMOSFET

300VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

300VN-ChannelMOSFET

Features •5.4A,300V,RDS(on)=0.9Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical9.8nC) •LowCrss(typical9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FastSwitchingSpeed

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FQB5N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB5N30

  • 功能描述

    MOSFET 300V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-15 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263(D2PAK)
90000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
FAIRCHILD
24+
TO-263(D2PAK)
8866
FAIRCILD
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单
FAIRCHILD/仙童
25+
D2-PAKTO-263
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
FAIRC
23+
TO-263(D2PAK)
7300
专注配单,只做原装进口现货
仙童
06+
TO-263
3800
原装库存
FAIRCHILD/仙童
21+
D2-PAKTO-263
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
4700
原装现货,当天可交货,原型号开票
FAIRCHIL
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理

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