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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 5N20A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l DC Motor Control and Class D Amplifier l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Automotive | GOFORD 谷峰半导体 |   | ||
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：2.60721 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：1.69754 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：172.46 Kbytes Page：2 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package 文件：1.95544 Mbytes Page：11 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | |
FQB5N20LTM产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQB5N20LTM
- 功能描述
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JST/日压 |
26+ |
NA |
360000 |
原装,请来电咨询 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
ST |
25+ |
TSSOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
ST |
TSSOP-8 |
16000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
JST/日压 |
2508+ |
/ |
287692 |
一级代理，原装现货 |
|||
ST |
25+ |
MOSP8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
FK |
23+ |
TO-252 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
GOFORD(谷峰) |
2447 |
TO-251(I-PAK) |
105000 |
75个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
GOFORD |
30 |
||||||
ST |
22+ |
MSOP8 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
FQB5N20LTM芯片相关品牌
FQB5N20LTM规格书下载地址
FQB5N20LTM参数引脚图相关
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- FQB6N60
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2019-8-15
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