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FQA19N60	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA19N60	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=18.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c	ISC 无锡固电	ISC
FQA19N60	N 沟道 QFET® MOSFET 600V，18.5A，380mΩ	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FMR19N60ES	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.34 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-11-20 8:02:00

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2020-6-29