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FMV19N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=19A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.365Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

FMV19N60E

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

FMV19N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=19A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.365Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

600V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

600V N-Channel MOSFET

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SEMIHOW

FMV19N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMV19N60E

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    IC,MOSFET; N-Channel,FAP-E3 Planar; 600V; 19A; 130W; TO-220F(SLS)

更新时间:2026-8-4 13:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI
25+
TO-220F
8000
只有原装
FUJI/富士电机
24+
TO-220F
50945
只做全新原装进口现货
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