型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA13N80-F109

12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 m廓 (Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA13N80-F109

N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 12.6A, 750mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FQA13N80-F109产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA13N80-F109

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 m??(Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A

更新时间:2025-9-29 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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TO-247
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