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位置：首页 > IC中文资料第2373页 > FQA11N90

FQA11N90价格

参考价格：￥9.4595

型号：FQA11N90_F109 品牌：Fairchild 备注：这里有FQA11N90多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FQA11N90批发/采购报价，FQA11N90行情走势销售排行榜，FQA11N90报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA11N90

900V N-Channel MOSFET

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanch

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=11.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.96Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

FQA11N90

900V N-Channel MOSFET

文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90

900V N-Channel MOSFET

文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C

900V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

FQA11N90C-F109

FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90_06

900V N-Channel MOSFET

文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90_07

900V N-Channel MOSFET

文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C

900V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA11N90C_06

900V N-Channel MOSFET

文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C_07

900V N-Channel MOSFET

文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90C_F109

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 11.0 A, 1.1 Ω, TO-3P

ONSEMI

安森美半导体

FQA11N90F109

N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 m廓

文件：460.54 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90-F109

N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 m廓

文件：460.54 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQA11N90-F109

N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 11.4A, 960mΩ

ONSEMI

安森美半导体

11N90

11 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 11N90 is an N-channel enhancement mode Power FET using UTC’s advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high

UTC

友顺

11N90

Fast Switching

文件：54.69 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

11N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

11N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FIR11N90ANG

900V N-Channel MOSFET

文件：1.8274 Mbytes Page：8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FQA11N90产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA11N90

  • 功能描述

    MOSFET 900V N-Channel QFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FQA11N90供应商更多...

更新时间：2025-12-27 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
FQA11N90C-F109
ON(安森美)
24+
TO-3P
16048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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中天科工半导体（深圳）有限公司
FQA11N90C-F109
ONSEMI/安森美
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32000
ONSEMI/安森美全新特价FQA11N90C-F109即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市中联芯电子有限公司
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ON/安森美
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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FQA11N90C_F109
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深圳市高捷芯城科技有限公司
FQA11N90-F109
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深圳市勤思达科技有限公司
FQA11N90
FAIRCHILD
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深圳市威雅利发展有限公司
FQA11N90
FAIRCHILD
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TO-3P
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