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FQA11N90C-F109

FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA11N90C-F109

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,11.0 A,1.1 Ω,TO-3P

ONSEMI

安森美半导体

FQA11N90C-F109产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA11N90C-F109

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm

更新时间:2026-3-1 11:25:00
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