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FQ08N03Q

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ08N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)8mΩ ID22A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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更新时间:2024-9-24 19:32:00
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