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EMB08N03A

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)8mΩ ID22A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

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Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ08N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI
更新时间:2024-6-22 19:14:00
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