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BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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罡境电子

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罡境电子

更新时间:2025-10-29 18:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BEREX
11+
SOT-89
203
原装现货
BEREX
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SOT-89
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SOT-89
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SMD
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MINI专营品牌全新原装正品假一赔十
MINI
24+
25
Bourns Inc.
25+
TO-247-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
恩XP
24+
SOT363
9480
公司现货库存,支持实单

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