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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 23.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 160mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D

ISC

无锡固电

N-Channel enhancement mode power MOSFET

Fuji

富士通

更新时间:2025-12-30 15:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI
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TO-220F
5000
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FUJI/富士电机
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