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FMV60N160S2HF中文资料
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FEATURES
·Drain Current : ID= 23.9A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 160mΩ(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
更新时间：2025-5-20 14:08:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
89-60779 |
TO-220F |
1000 |
公司原装现货 价格优势 |
|||
FUJI |
24+ |
TO-220F |
10000 |
只做原装 假一赔万 |
|||
FUJI |
24+ |
TO-220F |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
FUJI |
23+ |
TO-220F |
20000 |
||||
FUJI |
23+/24+ |
TO-220F |
15000 |
原装进口、正品保障、合作持久 |
|||
FUJI |
24+ |
TO-220F |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
FUJI |
22+23+ |
TO-220F |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
|||
FUJI |
24+ |
TO-220F |
10000 |
只有原装 |
|||
FUJI |
24+ |
TO-220F |
8000 |
原装，正品 |
|||
NXP |
24+ |
SMD |
39000 |
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十 |
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26401条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
