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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

GENERAL DESCRIPTION This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy effic

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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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FMV08N50ESC-P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMV08N50ESC-P

  • 制造商

    Fuji Electric

更新时间:2025-10-28 11:58:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/A
24+/25+
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原装正品现货库存价优
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