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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FMI07N50E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

FMI07N50E

功率MOSFET 400V-500V

FUJI

富士通

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Super FAP-E3 series Features • Maintains both low power loss and low noise • Lower RDS(on) characteristic • More controllable switching dv/dt by gate resistance • Smaller VGS ringing waveform during switching • Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) • High aval

FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

FMI07N50E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMI07N50E

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

更新时间:2026-5-23 13:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
25+
N/A
11550
FUJI/富士电机系列在售
FUJI
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
FUJI/富士电机
23+
TO262
28888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
F
22+
T-PACK(L)
6000
十年配单,只做原装
FUJI/富士电机
23+
N/A
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优

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