包装：散装 描述：RACK MOUNT FIBER DRAWER 2 RU 盒子，外壳，机架 机架配件

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Q-Class Power MOSFETs

Q-Class Power MOSFETs Chopper Topologies in ISOPLUS i4-PACTM Features • Q-Class Power MOSFET technology - low RDSon - low gate charge for high frequency operation - unclamped inductive switching (UIS) capability - dv/dt ruggedness • HiPerDynTM FRED - consistin

FMD28 Series™ – 0 to 50 Volts In – 7.0 Amps EMI Filters

• Operating temperature -55° to +125°C\n• Nominal 28 V input, 0 V to 50 V operation\n• Up to 7A throughput current\n• Compatible with MIL-STD-704 A-E 28 VDC power bus\n• Compliant to MIL-STD-461C CE-03\n• Compatible with MOR, MFL, MTR, MHV, MHF+, MHF, MSA, MGA, MCH, MGH, MHE and MTO Series of conver;

MOSFET

针对电机驱动市场，峰岹科技专门推出反向恢复时间（Trr）短、耐高压的MOSFET系列产品。该系列产品能广泛适用于家电、商用和工业类电机驱动系统。其优异的开关性能有助于降低系统整体发热，实现高效率与低损耗。在节省电路板空间的同时，能使电机驱动控制整体方案达到成本最优。 ·导通电阻低\t \r\n·Qg低\r\n·反向恢复时间（Trr）短\t\r\n·高效率\r\n·减少元器件数目（省去外接FRD）\r\n·同等条件下，工作温升较传统MOSFET低10K以上;

N-Channel Power MOSFET

FMD2N50E5是采用平面自对准技术制备的硅基N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，降低了导通损耗，改善了开关特性并提高了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路中，以实现系统小型化并提高效率。 封装形式为TO-252，符合RoHS标准。 • 快恢复体二极管消除了零电压开关应用中对外部二极管的需求\n• 较低的栅极电荷使得驱动更简单\n• 更高的阈值电压提供了更好的噪声免疫\n封装：TO-252;

EMI INPUT FILTERS 28 & 270 VOLT INPUT

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EMI INPUT FILTERS 28 & 270 VOLT INPUT

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Attenuation to 50 dB at 500 kHz Up to 7 A throughput current

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EMI INPUT FILTERS 28 & 270 VOLT INPUT

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Attenuation to 50 dB at 500 kHz Up to 7 A throughput current

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EMI Input Filters 28 Volt input ??7 Amp

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EMI Input Filters 28 Volt input ??7 Amp

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EMI INPUT FILTERS 28 & 270 VOLT INPUT

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SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI FAST RECOVERY SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 0.8 Ampere)

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