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FMD2N50E5

N-Channel Power MOSFET

FMD2N50E5是采用平面自对准技术制备的硅基N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,降低了导通损耗,改善了开关特性并提高了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路中,以实现系统小型化并提高效率。 封装形式为TO-252,符合RoHS标准。 • 快恢复体二极管消除了零电压开关应用中对外部二极管的需求\n• 较低的栅极电荷使得驱动更简单\n• 更高的阈值电压提供了更好的噪声免疫\n封装:TO-252;

FORTIORTECH

峰岹科技

FMD2N50E5产品属性

  • 类型

    描述

  • ID(A):

    2.0

  • RDSON(typ)(Ω):

    5.0

  • trr(typ)(ns):

    65

  • 封装:

    TO-252

更新时间:2026-5-22 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOKIN
25+
N/A
18798
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峰岹科技
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TO-252
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TO-252
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TO-220-3
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25+
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