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BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Features 600V, 5A, Low VCE(sat) Trench-Gate Field-Stop technology Optimized for conduction Robust RoHS compliant* Applications Switch-Mode Power Supplies (SMPS) Uninterruptible Power Sources (UPS) Power Factor Correction (PFC)

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更新时间:2025-10-18 14:06:01
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