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MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ・BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ・HIGHPOWER P1dB=42.5dBmat12.7GHzto13.2GHz ・HIGHGAIN G1dB=6.0dBat12.7GHzto13.2GHz ・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-25dBcatPout=36.0dBm(SingleCarrierLevel) ・HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-31 16:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA/东芝
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