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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 42.5dBm at 12.7GHz to 13.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 6.0dB at 12.7GHz to 13.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.) = -25dBc at Pout= 36.0dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-10-25 11:10:01
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