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TIM1213-18L

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 42.5dBm at 12.7GHz to 13.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 6.0dB at 12.7GHz to 13.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.) = -25dBc at Pout= 36.0dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM1213-18L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM1213-18L

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 13GHZ, 60W - Trays

更新时间:2025-12-30 16:20:00
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