| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FIR5N60 | 高压平面MOS | FS |   | |
600V N-Channel MOSFET 文件：2.98864 Mbytes Page：9 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
600V N-Channel MOSFET 文件：2.98864 Mbytes Page：9 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
场效应管 / 高压MOSFERs | FS | | ||
600V N-Channel MOSFET 文件：2.94538 Mbytes Page：9 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
600V N-Channel MOSFET 文件：2.94538 Mbytes Page：9 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
功率MOS/高压功率MOS | FS | | ||
Advanced N-Ch Power MOSFET 文件：5.90371 Mbytes Page：9 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
4.5 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching application | UTC 友顺 | | ||
4.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：242.68 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：254.02 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Power MOSFET 文件：1.06579 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：396.63 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FIRST |
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原装正品 |
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FIRST/福斯特 |
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2023-4-12FIN1049MTCX
FIN1049MTCX
2022-9-20FIN1027M 放大器 原装正品，欢迎咨询。
FIN1027M 原装正品，欢迎咨询。
2021-1-4FJB102TM，只售原装现货，上了就有找兴中扬电子
FJB102TM，只售原装现货，上了就有找兴中扬电子
2019-11-30FIN1001
原装现货
2019-9-6FIR7NS65AF
FIR7NS65AF，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-12
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