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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FGPF70N30TDTU | 封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 300V 49.2W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
FGPF70N30TDTU | 封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 300V 49.2W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
300V,70APDPIGBT 文件:783.45 Kbytes Page:7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件:273.89 Kbytes Page:4 Pages | DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD. | |||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件:253.35 Kbytes Page:4 Pages | DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD. | |||
300V,70APDPIGBT 文件:555.71 Kbytes Page:7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
300V,70APDPIGBT 文件:599 Kbytes Page:9 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
FGPF70N30TDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FGPF70N30TDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 300V 70A PDP
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
4534 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220F |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220F |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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Fairchild仙童 |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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Fairchild/ON |
22+ |
TO220F |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2022 |
TO-220F |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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Fairchild |
07+/08+ |
TO-220F |
78 |
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FAIRCHI |
23+ |
TO-220F |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
FGPF70N30TDTU规格书下载地址
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2021-10-23FGLG.12BK
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2020-10-15FGH75N60UF
FGH75N60UF,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-7-11
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