型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGPF30N30

300V, 30A PDP IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

FGPF30N30

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 300V 46W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGPF30N30

300V, 30A PDP IGBT

ONSEMI

安森美半导体

300V, 30A PDP IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 300V 44.6W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description AP30N30 from APEC provide the designer with the best combination of fast switching , low on-resistance and cost-effectiveness . The TO-3P package is preferred for commercial & industrial applications with higher power level preclusion than TO-220 device. ▼ 100 Avalanche Tes

A-POWER

富鼎先进电子

HiPerFAST IGBT

Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Newest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies (UPS) •

IXYS

艾赛斯

300V, 30A PDP IGBT

文件:765.71 Kbytes Page:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGPF30N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGPF30N30

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 300V 30A PDP IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-15 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
24+
TO-220F
8866
Fairchild/ON
22+
TO220F
9000
原厂渠道,现货配单
24+
N/A
60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
onsemi(安森美)
25+
TO-220F-3
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
FAIRCHILD/仙童
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
5171
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
FSC
23+
TO-220F
50
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD
2023+
SMD
7669
安罗世纪电子只做原装正品货
onsemi(安森美)
25+
TO-220F-3
12421
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
TO-247
23+
ST
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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