FGPF10N60UNDF价格

参考价格:¥5.7630

型号:FGPF10N60UNDF 品牌:Fairchild 备注:这里有FGPF10N60UNDF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGPF10N60UNDF批发/采购报价,FGPF10N60UNDF行情走势销售排行榜,FGPF10N60UNDF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGPF10N60UNDF

600V, 10A Short Circuit Rated IGBT

文件:826.35 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FGPF10N60UNDF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 20A 42W TO-220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGPF10N60UNDF

IGBT,600V,10A,短路额定

ONSEMI

安森美半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

FGPF10N60UNDF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGPF10N60UNDF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
FAIRCHILD/仙童
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FAIRCHILD/仙童
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TO-220F
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原装正品,假一罚十!
FAIRCHILD
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TO-220F
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
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明嘉莱只做原装正品现货
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TO220F
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郑重承诺只做原装进口现货
仙童
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6200
100%原装正品现货

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