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ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A •HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FGL60N170DTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N170DTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-11 11:36:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
N/A
35700
正品授权货源可靠
FAIRCHIL
20+
TO-264
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FSC
23+
TO-264
5000
原装正品,假一罚十
FSC
2020+
TO3P
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
FAIRCHILD/仙童
21+ROHS
TO-264
32322
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FAIRCHIL
23+
TO-264
9526
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-264
25000
只做原装进口现货,专注配单
NA
19+
71366
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
NANYA/南亚
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只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
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2023+
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