位置：首页 > IC中文资料第11596页 > FFXXNC3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FFXXNC3 | HC-49/US Surface Mounted Crystal 文件：85.83 Kbytes Page：1 Pages | MMD |   |
FFXXNC3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FFXXNC3
- 制造商
MMD
- 制造商全称
MMD Components
- 功能描述
HC-49/US Surface Mounted Crystal
更新时间：2025-10-4 16:50:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ESD原装 |
25+23+ |
DIP-4 |
27632 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
DATAIMAGE |
24+ |
4320 |
|||||
INFINEON |
23+ |
QFP |
7000 |
||||
AMPHENOL |
23+ |
65480 |
|||||
SAM |
02+ |
DIP |
8 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
AMPHENOL |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
Amphenol/安费诺 |
24+ |
44659 |
原厂现货渠道 |
||||
SAM |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RICHTEK/立锜 |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
FFXXNC3芯片相关品牌
FFXXNC3规格书下载地址
FFXXNC3参数引脚图相关
- HDD
- h3000
- h20r120
- gps模块
- gpib
- GL850G
- gfd
- g508
- g500
- g221
- fx57
- FTTH
- fr107
- fpga开发板
- FPC连接器
- fp6290
- foxconn
- fml22s
- flotherm
- finder继电器
- FG090
- FG085
- FG081
- FG080
- FG075
- FG070
- FG065
- FG060
- FG055
- FG050
- FG045
- FG040
- FG035
- FG031
- FG030
- FG025
- FG020
- FG015
- FG010
- FG005
- FG 0200 164 1
- FG 0200 164 1
- FG 0200 146 2
- FG 0200 146 1
- FG 0200 146 2
- FG 0200 146 1
- FG 0200 093 1
- FG 0200 093 1
- FG 0100 164 1
- FG 0100 164 1
- FFY.00.650.CLAC47
- FFY.00.650.CLAC27
- FFY.00.250.NTAC52Z
- FFY.00.250.NTAC52
- FFY.00.250.DTAC52Z
- FFY.00.250.CTAC52ZN
- FFY.00.250.CTAC52Z
- FFY.00.250.CTAC52
- FFY.00.250.CLAC52Z
- FFY.00.113.CTAC52Z
- FFXXNC1
- FFXXNB3
- FFXXNB1
- FFXXNA3
- FFXXNA1
- FFXXEC3
- FFXXEC1
- FFXXEB3
- FFXXEB1
- FFXXEA3
- FFXXEA1
- FFXXDC3
- FFXXDC1
- FFXXDB3
- FFXXDB1
- FFXXDA3
- FFXXDA1
- FFXXCC3
- FFXXCC1
- FFXXCB3
FFXXNC3数据表相关新闻
FFSH10120A-F155碳化硅（SiC）二极管
FFSH10120A-F155碳化硅（SiC）二极管
2024-1-5FG28X7R1H104KNT06
多層陶瓷電容器MLCC - 引線電容器 RAD 50V 0.1uF X7R 10% LS:5mm
2023-12-28FFC3B07-30-T
优势渠道
2023-9-18FG-23629-D65
FG-23629-D65
2023-3-24FG-23329-D65
FG-23329-D65
2023-3-24FFSB10120A-F085
1200 V碳化硅（SiC）二极管 安森美半导体二极管的优势包括更快的工作频率，更高的功率密度和更低的EMI
2020-4-8
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
