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FFSH2065B-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：308.95 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSH2065B-F085 | 封装/外壳：TO-247-2 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SIC DIODE 650V 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSH2065B-F085 | 汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，650 V | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 20 A Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：436.98 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-8
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