SiC Diode - 1200V, 20A, TO-247-3, Common Cathode

SiC，双裸片，1200 V，20 A

封装/外壳：TO-247-3 包装：散装 描述：1200V 20A AUTO SIC SBD 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Silicon Carbide Schottky Diode

文件：336.38 Kbytes Page：6 Pages

Silicon Carbide Schottky Diode

文件：310 Kbytes Page：6 Pages

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SIC 1200V 10A TO247 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-3L

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages

Ultra low forward voltage drop, low power loss

文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages

Ultra low forward voltage drop, low power loss

文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages