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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FFSH20120A-F155 | Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSH20120A-F155 | 封装/外壳：TO-247-2 包装：散装 描述：SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSH20120A-F155 | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-11-18 9:33:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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